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SIZ200DT-T1-GE3

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SIZ200DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH DUAL 30V

compliant

SIZ200DT-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.48708 -
6,000 $0.46421 -
15,000 $0.44788 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
rds activado (máximo) @ id, vgs 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
potencia - máx. 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-PowerWDFN
paquete de dispositivo del proveedor 8-PowerPair® (3.3x3.3)
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Número de pieza relacionado

NTMD4820NR2G
NTMD4820NR2G
$0 $/pedazo
SIZF906BDT-T1-GE3
SH8K41GZETB
SIZ340BDT-T1-GE3
FSS273-TL-E-SY
FSS273-TL-E-SY
$0 $/pedazo
SH8K4TB1
SH8K4TB1
$0 $/pedazo
SQJ570EP-T1_GE3
QS8M51TR
QS8M51TR
$0 $/pedazo

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