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SIZF906ADT-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET DUAL N-CHAN 30V

no conforme

SIZF906ADT-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.76391 -
6,000 $0.72805 -
15,000 $0.70243 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual), Schottky
característica fet Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
rds activado (máximo) @ id, vgs 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.2V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
potencia - máx. 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-PowerWDFN
paquete de dispositivo del proveedor 8-PowerPair® (6x5)
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Número de pieza relacionado

FDS6912
SI5515CDC-T1-GE3
DMP3028LSD-13
MSCSM70VM10C4AG
NTHD4502NT1G
NTHD4502NT1G
$0 $/pedazo
DMC1028UVT-7
FDPC8014S
FDPC8014S
$0 $/pedazo
MMDF2P02ER2G
MMDF2P02ER2G
$0 $/pedazo
SQJ992EP-T1_BE3

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