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SQ1912EH-T1_GE3

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SQ1912EH-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6

no conforme

SQ1912EH-T1_GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.13788 -
6,000 $0.12996 -
15,000 $0.12204 -
30,000 $0.11254 -
75,000 $0.10858 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 800mA (Tc)
rds activado (máximo) @ id, vgs 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 1.15nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 75pF @ 10V
potencia - máx. 1.5W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquete de dispositivo del proveedor SC-70-6
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Número de pieza relacionado

MIC94051BM4TR
DMC3071LVT-13
SI4532CDY-T1-GE3
HP4936DY
DMC2450UV-7
ECH8602M-TL-H
ECH8602M-TL-H
$0 $/pedazo
TD9944TG-G
2N7002DW-7-F
SQJ910AEP-T1_GE3

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