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SQ2309ES-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236

compliant

SQ2309ES-T1_GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.21660 -
6,000 $0.20340 -
15,000 $0.19020 -
30,000 $0.18096 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 1.7A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 336mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 8.5 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 265 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número de pieza relacionado

VP0550N3-G-P013
IPU60R1K0CE
RTF016N05FRATL
R6024ENJTL
R6024ENJTL
$0 $/pedazo
APT1001RBVFRG
IXTP20N65X2
IXTP20N65X2
$0 $/pedazo
PMV60ENEAR
PMV60ENEAR
$0 $/pedazo
MTB60N05HDLT4
MTB60N05HDLT4
$0 $/pedazo
IPD80R1K0CEATMA1

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