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SQ4184EY-T1_GE3

SQ4184EY-T1_GE3

SQ4184EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 29A 8SOIC

compliant

SQ4184EY-T1_GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.72000 $1.72
500 $1.7028 $851.4
1000 $1.6856 $1685.6
1500 $1.6684 $2502.6
2000 $1.6512 $3302.4
2500 $1.634 $4085
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 40 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 29A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 4.6mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 5400 pF @ 20 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 7.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número de pieza relacionado

SIHW30N60E-GE3
STD10N60M2
STD10N60M2
$0 $/pedazo
IXFN32N100Q3
IXFN32N100Q3
$0 $/pedazo
IRFP23N50LPBF
FQA38N30
SI4628DY-T1-GE3

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