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SQD50P04-09L_GE3

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SQD50P04-09L_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 50A TO252

SOT-23

no conforme

SQD50P04-09L_GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,000 $1.41075 -
6,000 $1.35850 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 40 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 50A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 9.4mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 6675 pF @ 20 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-252AA
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

IXFA18N60X
IXFA18N60X
$0 $/pedazo
PHD71NQ03LT,118
PHD71NQ03LT,118
$0 $/pedazo
NVMFS5C680NLWFT1G
NVMFS5C680NLWFT1G
$0 $/pedazo
DMP2004WK-7
SI2304BDS-T1-BE3
VN2410L-G-P013

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