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SQD50P08-25L_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA

no conforme

SQD50P08-25L_GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,000 $1.20285 -
6,000 $1.15830 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 80 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 50A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 25mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 137 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 5350 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-252AA
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

FCHD125N65S3R0-F155
FCHD125N65S3R0-F155
$0 $/pedazo
NVMTSC1D3N08M7TXG
NVMTSC1D3N08M7TXG
$0 $/pedazo
IRFPC40
IRFPC40
$0 $/pedazo
APT17F100S
SIHH250N60EF-T1GE3
IPD050N10N5ATMA1
DMN67D8L-7
STB14N80K5
STB14N80K5
$0 $/pedazo
DMN1004UFV-13

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