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SQJ158EP-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8

no conforme

SQJ158EP-T1_GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.28476 -
6,000 $0.26628 -
15,000 $0.25704 -
30,000 $0.25200 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 23A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 33mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1100 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
paquete / caja PowerPAK® SO-8
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Número de pieza relacionado

SIR618DP-T1-GE3
FDD8453LZ-F085
IXTY18P10T
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$0 $/pedazo
IPW60R160C6FKSA1
IXFZ140N25T
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$0 $/pedazo
NVTYS004N04CTWG
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$0 $/pedazo
APT40N60JCU3
IXTQ180N10T
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$0 $/pedazo

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