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SQJA46EP-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

no conforme

SQJA46EP-T1_GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.57072 -
6,000 $0.54392 -
15,000 $0.52478 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 40 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 60A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 105 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 5000 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
paquete / caja PowerPAK® SO-8
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Número de pieza relacionado

SIRA18ADP-T1-GE3
DMP2039UFDE-7
SI7190DP-T1-GE3
IPL60R365P7AUMA1
SIHP25N50E-GE3
QS5U12TR
QS5U12TR
$0 $/pedazo

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