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SQJQ100EL-T1_GE3

SQJQ100EL-T1_GE3

SQJQ100EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

no conforme

SQJQ100EL-T1_GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,000 $1.42650 -
6,000 $1.37700 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 40 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 200A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 220 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 14500 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 8 x 8
paquete / caja PowerPAK® 8 x 8
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Número de pieza relacionado

SPU03N60S5IN
PSMN3R9-60PSQ
SIHG35N60E-GE3
CSD18511KTT
CSD18511KTT
$0 $/pedazo
NVTYS007N04CTWG
NVTYS007N04CTWG
$0 $/pedazo
SIS412DN-T1-GE3
STN1HNK60
STN1HNK60
$0 $/pedazo
FDP038AN06A0
FDP038AN06A0
$0 $/pedazo
DMP2305U-7

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