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SQJQ410EL-T1_GE3

SQJQ410EL-T1_GE3

SQJQ410EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8

compliant

SQJQ410EL-T1_GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,000 $1.42650 -
6,000 $1.37700 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 135A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 3.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 7350 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 8 x 8
paquete / caja PowerPAK® 8 x 8
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Número de pieza relacionado

FCB290N80
FCB290N80
$0 $/pedazo
NVMFS6H824NLT1G
NVMFS6H824NLT1G
$0 $/pedazo
BUK7S0R9-40HJ
DMN61D8LQ-7
SQ2348ES-T1_GE3
IPU80R1K0CEBKMA1
DMN13H750S-7
IRL7833STRLPBF
SIR574DP-T1-RE3

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