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SQM10250E_GE3

SQM10250E_GE3

SQM10250E_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 65A TO263

compliant

SQM10250E_GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
800 $1.65805 $1326.44
1,600 $1.52163 -
2,400 $1.41669 -
5,600 $1.36422 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 250 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 65A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 7.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 30mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 4050 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-263 (D²Pak)
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

NVTFS6H860NTAG
NVTFS6H860NTAG
$0 $/pedazo
STW56N65DM2
SIHG17N80E-GE3
BSZ0704LSATMA1
FDBL9406-F085T6
FDBL9406-F085T6
$0 $/pedazo
FDB9403L-F085
NTD20N03L27-1G
NTD20N03L27-1G
$0 $/pedazo
NTD4809NA-1G
NTD4809NA-1G
$0 $/pedazo
R6007ENJTL
R6007ENJTL
$0 $/pedazo

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