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SQM40N10-30_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 40A TO263

compliant

SQM40N10-30_GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
800 $1.14708 $917.664
1,600 $1.05270 -
2,400 $0.98010 -
5,600 $0.94380 -
18 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 40A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 6V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 30mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3345 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-263 (D²Pak)
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

PSMN057-200B,118
SI4168DY-T1-GE3
FDMS86101DC
FDMS86101DC
$0 $/pedazo
RD3P050SNTL1
APT1201R5BVFRG
DMTH4005SCT
DMN2013UFDE-7
SI4456DY-T1-E3
RUR020N02TL

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