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SQS966ENW-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CHAN 60V

no conforme

SQS966ENW-T1_GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.39816 -
6,000 $0.37232 -
15,000 $0.35940 -
30,000 $0.35235 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6A (Tc)
rds activado (máximo) @ id, vgs 36mOhm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 8.8nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 572pF @ 25V
potencia - máx. 27.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount, Wettable Flank
paquete / caja PowerPAK® 1212-8W Dual
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8W Dual
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Número de pieza relacionado

CSD87355Q5DT
FDG8850NZ
FDG8850NZ
$0 $/pedazo
NTUD3170NZT5G
NTUD3170NZT5G
$0 $/pedazo
FDMS3600AS
NX7002AKS,115
DMN6070SSD-13
BSO211PHXUMA1

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