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SUD35N05-26L-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 55V 35A TO252

compliant

SUD35N05-26L-E3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 55 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 35A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 20mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 250µA (Min)
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 13 nC @ 5 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 885 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 7.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-252AA
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

IPD60R800CEATMA1
IRFR3707TRL
STD38NH02L-1
SUM70N03-09CP-E3
IRLU3714ZPBF
BSO4420T
SI1417EDH-T1-E3
IRFP354PBF
IRFP354PBF
$0 $/pedazo
IXTK80N25
IXTK80N25
$0 $/pedazo

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