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SUD50N02-09P-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V TO252

no conforme

SUD50N02-09P-E3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
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Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 20A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 16 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1300 pF @ 10 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-252AA
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

STP8NM60ND
STP8NM60ND
$0 $/pedazo
IRFR13N20DCTRRP
SPP15P10P
TT8U1TR
TT8U1TR
$0 $/pedazo
SFU9220TU_AM002
SFU9220TU_AM002
$0 $/pedazo
IXFH9N80Q
IXFH9N80Q
$0 $/pedazo
IXTQ28N15P
IXTQ28N15P
$0 $/pedazo
IRLR014NTRL
IRFH7182TRPBF

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