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SUP80090E-GE3

SUP80090E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB

compliant

SUP80090E-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $3.50000 $3.5
10 $3.13500 $31.35
100 $2.59050 $259.05
500 $2.11860 $1059.3
1,000 $1.80400 -
2,500 $1.71930 -
5,000 $1.65880 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 150 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 128A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 7.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 9.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3425 pF @ 75 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

VP0808L-G
FQB11P06TM
RS3G160ATTB1
SIHG25N40D-E3
R6504ENJTL
R6504ENJTL
$0 $/pedazo
IRFB7430GPBF
VN2210N2
VN2210N2
$0 $/pedazo

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