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VQ1001P-E3

VQ1001P-E3

VQ1001P-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

compliant

VQ1001P-E3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 4 N-Channel
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 830mA
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.75Ohm @ 200mA, 5V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 110pF @ 15V
potencia - máx. 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete / caja -
paquete de dispositivo del proveedor 14-DIP
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Número de pieza relacionado

FDMC8298
DMN3012LFG-13
GWM160-0055X1-SMD
GWM160-0055X1-SMD
$0 $/pedazo

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