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NXPSC12650B6J

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SILICON CARBIDE POWER DIODE

no conforme

NXPSC12650B6J Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $6.86000 $6.86
500 $6.7914 $3395.7
1000 $6.7228 $6722.8
1500 $6.6542 $9981.3
2000 $6.5856 $13171.2
2500 $6.517 $16292.5
6298 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
voltaje - cc inversa (vr) (máx.) 650 V
Corriente media rectificada (io) 12A
voltaje - directo (vf) (máximo) @ si 1.7 V @ 12 A
velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
corriente - fuga inversa @ vr 80 µA @ 650 V
capacitancia @ vr, f 380pF @ 1V, 1MHz
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquete de dispositivo del proveedor D2PAK
Temperatura de funcionamiento - unión 175°C (Max)
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Número de pieza relacionado

5821SMGE3/TR13
AES2GF-HF
AES2GF-HF
$0 $/pedazo
ES8CC-HF
ES8CC-HF
$0 $/pedazo
DCG10P1200HR
DCG10P1200HR
$0 $/pedazo
UF3002-HF
UF3002-HF
$0 $/pedazo
AU01AWS
AU01AWS
$0 $/pedazo
SJPJ-L3
SJPJ-L3
$0 $/pedazo
M0659LC450
M0659LC450
$0 $/pedazo

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