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WNSC201200CWQ

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WNSC201200CWQ

SILICON CARBIDE POWER DIODE

SOT-23

no conforme

WNSC201200CWQ Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $10.17163 $10.17163
500 $10.0699137 $5034.95685
1000 $9.9681974 $9968.1974
1500 $9.8664811 $14799.72165
2000 $9.7647648 $19529.5296
2500 $9.6630485 $24157.62125
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
voltaje - cc inversa (vr) (máx.) 1200 V
Corriente media rectificada (io) 20A
voltaje - directo (vf) (máximo) @ si 1.6 V @ 10 A
velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
corriente - fuga inversa @ vr 110 µA @ 1200 V
capacitancia @ vr, f 510pF @ 1V, 1MHz
tipo de montaje Through Hole
paquete / caja TO-247-3
paquete de dispositivo del proveedor TO-247-3
Temperatura de funcionamiento - unión 175°C (Max)
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Número de pieza relacionado

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