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WNSC2D04650DJ

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SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

no conforme

WNSC2D04650DJ Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.34000 $1.34
500 $1.3266 $663.3
1000 $1.3132 $1313.2
1500 $1.2998 $1949.7
2000 $1.2864 $2572.8
2500 $1.273 $3182.5
5535 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
voltaje - cc inversa (vr) (máx.) 650 V
Corriente media rectificada (io) 4A
voltaje - directo (vf) (máximo) @ si 1.7 V @ 4 A
velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
corriente - fuga inversa @ vr 20 µA @ 650 V
capacitancia @ vr, f 125pF @ 1V, 1MHz
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquete de dispositivo del proveedor DPAK
Temperatura de funcionamiento - unión 175°C
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Número de pieza relacionado

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