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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| característica fet | Silicon Carbide (SiC) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 200A (Tj) |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 6.9mOhm @ 200A, 15V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 3.6V @ 69mA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 708nC @ 15V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 20.4nF @ 800V |
| potencia - máx. | 10mW (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montaje | Chassis Mount |
| paquete / caja | Module |
| paquete de dispositivo del proveedor | - |
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