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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Obsolete |
| tipo feto | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| característica fet | Silicon Carbide (SiC) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 444A (Tc) |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 4.3mOhm @ 400A, 20V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 4V @ 105mA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 1127nC @ 20V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 19.5nF @ 1000V |
| potencia - máx. | 3000W |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| tipo de montaje | - |
| paquete / caja | Module |
| paquete de dispositivo del proveedor | Module |
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