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FDFMA3P029Z

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MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

compliant

FDFMA3P029Z Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.25000 $0.25
500 $0.2475 $123.75
1000 $0.245 $245
1500 $0.2425 $363.75
2000 $0.24 $480
2500 $0.2375 $593.75
2319 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 3.3A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) -
rds activado (máximo) @ id, vgs 87mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (máximo) -
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 435 pF @ 15 V
característica fet Schottky Diode (Isolated)
disipación de potencia (máxima) 1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 6-MLP (2x2)
paquete / caja 6-WDFN Exposed Pad
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Número de pieza relacionado

SI4425BDY-T1-E3
IRFR224PBF
IRFR224PBF
$0 $/pedazo
APT50M65B2FLLG
STB20N90K5
STB20N90K5
$0 $/pedazo
TN5335N8-G
BUK761R6-40E,118
BUK761R6-40E,118
$0 $/pedazo
DMP2120U-7
NTD4302-1G
NTD4302-1G
$0 $/pedazo

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