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IPD50P03P4L11ATMA1

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MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3

no conforme

IPD50P03P4L11ATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.57842 -
5,000 $0.54950 -
12,500 $0.52884 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Not For New Designs
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 50A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 10.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 85µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (máximo) +5V, -16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3770 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 58W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3-11
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

STP40N60M2
STP40N60M2
$0 $/pedazo
SQJ474EP-T2_GE3
PHD108NQ03LT,118
PHD108NQ03LT,118
$0 $/pedazo
NTD4865N-1G
NTD4865N-1G
$0 $/pedazo
BSH103,215
BSH103,215
$0 $/pedazo
RM30N250DF
RM30N250DF
$0 $/pedazo
IRF6727MTRPBF
STP20NM50FD

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