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IRF614

IRF614

IRF614

ADVANCED POWER MOSFET

IRF614 Ficha de datos

no conforme

IRF614 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 250 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2.7A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 2Ohm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 8.2 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 140 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

NTB75N06G
NTB75N06G
$0 $/pedazo
IRF2903ZLPBF
AUIRFU4292
IXKP10N60C5
IXKP10N60C5
$0 $/pedazo
IRF6609
IRF6609
$0 $/pedazo
IRF3711ZSPBF
SI6413DQ-T1-E3
BUK7E2R6-60E,127
IRF7402PBF

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