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IPI100N08N3GHKSA1

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MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3

no conforme

IPI100N08N3GHKSA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 80 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 70A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 6V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 10mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 46µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2410 pF @ 40 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO262-3
paquete / caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número de pieza relacionado

IRF3711ZSPBF
SI6413DQ-T1-E3
BUK7E2R6-60E,127
IRF7402PBF
SPP80N06S2-05
IXTH72N20T
IXTH72N20T
$0 $/pedazo
NTTFS4943NTWG
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$0 $/pedazo
STP13NM50N
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$0 $/pedazo
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