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SPP80N06S2-05

SPP80N06S2-05

SPP80N06S2-05

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

no conforme

SPP80N06S2-05 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 55 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 80A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 5.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 170 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 6790 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

IXTH72N20T
IXTH72N20T
$0 $/pedazo
NTTFS4943NTWG
NTTFS4943NTWG
$0 $/pedazo
STP13NM50N
STP13NM50N
$0 $/pedazo
IRFIZ34E
IRF7779L2TR1PBF
HUFA75639P3
HUFA75639P3
$0 $/pedazo
ZVP0120AS
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$0 $/pedazo
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