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IRF7779L2TR1PBF

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MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET

no conforme

IRF7779L2TR1PBF Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
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Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 150 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 375A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 11mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 6660 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor DirectFET™ Isometric L8
paquete / caja DirectFET™ Isometric L8
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Número de pieza relacionado

HUFA75639P3
HUFA75639P3
$0 $/pedazo
ZVP0120AS
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SFW2955TM
FDD9407-F085
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$0 $/pedazo
2SJ656
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$0 $/pedazo
SI4483EDY-T1-GE3
NTJS3151PT2
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DKI10751
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