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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Obsolete |
| tipo feto | P-Channel |
| tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 200 V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 110mA (Ta) |
| Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 10V |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 32Ohm @ 125mA, 10V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 3.5V @ 1mA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | - |
| vgs (máximo) | ±20V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 100 pF @ 25 V |
| característica fet | - |
| disipación de potencia (máxima) | 700mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| tipo de montaje | Through Hole |
| paquete de dispositivo del proveedor | TO-92 |
| paquete / caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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