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STP13NM50N

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MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB

no conforme

STP13NM50N Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 500 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 12A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 320mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±25V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 960 pF @ 50 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

IRFIZ34E
IRF7779L2TR1PBF
HUFA75639P3
HUFA75639P3
$0 $/pedazo
ZVP0120AS
ZVP0120AS
$0 $/pedazo
SFW2955TM
FDD9407-F085
FDD9407-F085
$0 $/pedazo
2SJ656
2SJ656
$0 $/pedazo
SI4483EDY-T1-GE3

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