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IRFF213

IRFF213

IRFF213

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFF213 Ficha de datos

no conforme

IRFF213 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 150 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 1.8A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 2.4Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 7.5 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 135 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 15W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-205AF (TO-39)
paquete / caja TO-205AF Metal Can
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Número de pieza relacionado

IRLZ24L
IRLZ24L
$0 $/pedazo
SUD50N02-09P-E3
STP8NM60ND
STP8NM60ND
$0 $/pedazo
IRFR13N20DCTRRP
SPP15P10P
TT8U1TR
TT8U1TR
$0 $/pedazo
SFU9220TU_AM002
SFU9220TU_AM002
$0 $/pedazo
IXFH9N80Q
IXFH9N80Q
$0 $/pedazo

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