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DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

no conforme

DMN3190LDW-7 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.09600 -
6,000 $0.08720 -
15,000 $0.07840 -
30,000 $0.07400 -
75,000 $0.06652 -
150,000 $0.06432 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 1A
rds activado (máximo) @ id, vgs 190mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.8V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 2nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 87pF @ 20V
potencia - máx. 320mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquete de dispositivo del proveedor SOT-363
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Número de pieza relacionado

BSC0910NDIATMA1
HUFA76504DK8T
DMN1150UFL3-7
DMN2990UDJ-7
BSC0993NDATMA1
MSCSM120AM08CT3AG
FDR8508P
SI4590DY-T1-GE3
SQJB00EP-T1_BE3
EM6J1T2R
EM6J1T2R
$0 $/pedazo

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