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DMT10H032LSS-13

DMT10H032LSS-13

DMT10H032LSS-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R

compliant

DMT10H032LSS-13 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.24177 $0.24177
500 $0.2393523 $119.67615
1000 $0.2369346 $236.9346
1500 $0.2345169 $351.77535
2000 $0.2320992 $464.1984
2500 $0.2296815 $574.20375
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 5A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 32mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 11.9 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 683 pF @ 50 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-SO
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número de pieza relacionado

IRF341
IRF341
$0 $/pedazo
IRLZ14SPBF
IRLZ14SPBF
$0 $/pedazo
IRFS4127TRLPBF
SQJQ410EL-T1_GE3
FCB290N80
FCB290N80
$0 $/pedazo
NVMFS6H824NLT1G
NVMFS6H824NLT1G
$0 $/pedazo
BUK7S0R9-40HJ
DMN61D8LQ-7

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