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EPC2214

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EPC

GANFET N-CH 80V 10A DIE

SOT-23

EPC2214 Ficha de datos

no conforme

EPC2214 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.69000 $1.69
500 $1.6731 $836.55
1000 $1.6562 $1656.2
1500 $1.6393 $2458.95
2000 $1.6224 $3244.8
2500 $1.6055 $4013.75
43101 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 80 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 10A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 20mOhm @ 6A, 5V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 2mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 2.2 nC @ 5 V
vgs (máximo) +6V, -4V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 238 pF @ 40 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor Die
paquete / caja Die
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Número de pieza relacionado

DMN6140L-13
DMP3007LK3-13
IPW60R120P7XKSA1
SI3459BDV-T1-E3
2N7002KW
2N7002KW
$0 $/pedazo
NVHL060N090SC1
NVHL060N090SC1
$0 $/pedazo
IRFR9024NTRPBF

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