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G3R350MT12J

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SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7

compliant

G3R350MT12J Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $5.84000 $5.84
500 $5.7816 $2890.8
1000 $5.7232 $5723.2
1500 $5.6648 $8497.2
2000 $5.6064 $11212.8
2500 $5.548 $13870
6819 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 11A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 15V
rds activado (máximo) @ id, vgs 420mOhm @ 4A, 15V
vgs(th) (máximo) @ id 2.69V @ 2mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 15 V
vgs (máximo) ±15V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 334 pF @ 800 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-263-7
paquete / caja TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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Número de pieza relacionado

SIHP17N60D-E3
SI2316BDS-T1-GE3
NDD03N60Z-1G
NDD03N60Z-1G
$0 $/pedazo
FDP55N06
FDP55N06
$0 $/pedazo
R6530KNXC7G
AUIRFR8401TRL
NVTFS4C10NTAG
NVTFS4C10NTAG
$0 $/pedazo
PSMN1R3-30YL,115

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