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G65P06K

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P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3.

G65P06K Ficha de datos

no conforme

G65P06K Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.49000 $1.49
500 $1.4751 $737.55
1000 $1.4602 $1460.2
1500 $1.4453 $2167.95
2000 $1.4304 $2860.8
2500 $1.4155 $3538.75
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 65A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 5814 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-252
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

MTB10N40ET4
MTB10N40ET4
$0 $/pedazo
FDP6035L
PSMN018-100ESFQ
SI2343DS-T1-E3
BSS138BKWT106
RQ5E030RPTL
NVBLS1D7N08H
NVBLS1D7N08H
$0 $/pedazo

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