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G65P06T

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P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~

SOT-23

G65P06T Ficha de datos

no conforme

G65P06T Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.71000 $1.71
500 $1.6929 $846.45
1000 $1.6758 $1675.8
1500 $1.6587 $2488.05
2000 $1.6416 $3283.2
2500 $1.6245 $4061.25
20 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 65A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 5814 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

IRFP4110PBF
STW42N65M5
STW42N65M5
$0 $/pedazo
SI3415A-TP
IRFH5300TRPBF
SIHA12N50E-GE3
SPS01N60C3
APT75M50B2
VN0550N3-G
RM20P30D3
RM20P30D3
$0 $/pedazo

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