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GT025N06D5

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N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.

compliant

GT025N06D5 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.98000 $1.98
500 $1.9602 $980.1
1000 $1.9404 $1940.4
1500 $1.9206 $2880.9
2000 $1.9008 $3801.6
2500 $1.881 $4702.5
125 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 95A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 2.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 93 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 5950 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-DFN (5.2x5.86)
paquete / caja 8-PowerTDFN
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Número de pieza relacionado

SCT2280KEGC11
DMT6009LFG-7
IXTT140N10P-TRL
IXTT140N10P-TRL
$0 $/pedazo
IRF642R
IRF642R
$0 $/pedazo
BUK763R4-30,118
NTTFS5D1N06HLTAG
NTTFS5D1N06HLTAG
$0 $/pedazo

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