Welcome to ichome.com!

logo
Hogar

BSO615N

BSO615N

BSO615N

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

BSO615N Ficha de datos

no conforme

BSO615N Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2.6A
rds activado (máximo) @ id, vgs 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 20µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 20nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 380pF @ 25V
potencia - máx. 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor PG-DSO-8
Error en la carga del PDF, puedes intentar abrirlo en una nueva ventana para acceder [Abierto], o haga clic para regresar

Número de pieza relacionado

SI5515DC-T1-GE3
NTJD3158CT2G
NTJD3158CT2G
$0 $/pedazo
NTHC5513T1
NTHC5513T1
$0 $/pedazo
NTJD4401NT4G
NTJD4401NT4G
$0 $/pedazo
SI5935DC-T1-GE3
SI6967DQ-T1-E3
IRF7338TRPBF
PMV50ENEA,215
SI6983DQ-T1-E3
SI6975DQ-T1-GE3

Su socio confiable en electrónica

Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.