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BSP603S2LHUMA1

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MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223-4

no conforme

BSP603S2LHUMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
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Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 55 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 5.2A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 33mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 50µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1390 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-SOT223-4
paquete / caja TO-261-4, TO-261AA
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Número de pieza relacionado

MCQ60P05-TP
STP5NB40
STP5NB40
$0 $/pedazo
DMP2066LVT-7
RTQ040P02TR
IRF1902GTRPBF
IRFP150N
IRF614
IRF614
$0 $/pedazo
NTB75N06G
NTB75N06G
$0 $/pedazo

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