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IMBG65R260M1HXTMA1

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SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

compliant

IMBG65R260M1HXTMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $7.40000 $7.4
500 $7.326 $3663
1000 $7.252 $7252
1500 $7.178 $10767
2000 $7.104 $14208
2500 $7.03 $17575
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto -
tecnología -
voltaje de drenaje a fuente (vdss) -
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C -
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) -
rds activado (máximo) @ id, vgs -
vgs(th) (máximo) @ id -
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máximo) -
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
característica fet -
disipación de potencia (máxima) -
Temperatura de funcionamiento -
tipo de montaje -
paquete de dispositivo del proveedor -
paquete / caja -
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Número de pieza relacionado

DMTH6012LPSW-13
NVMTS1D0N04CLTXG
NVMTS1D0N04CLTXG
$0 $/pedazo
STB6N65K3
STB6N65K3
$0 $/pedazo
30507-001-XTD
30507-001-XTD
$0 $/pedazo
FDC697P
NVHL040N65S3HF
NVHL040N65S3HF
$0 $/pedazo
DMN6013LFGQ-13
SIRA00DP-T1-RE3

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