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IPB110N20N3LFATMA1

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MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

compliant

IPB110N20N3LFATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1,000 $4.34853 -
2,000 $4.18747 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 88A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 11mOhm @ 88A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4.2V @ 260µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 76 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 650 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-3
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

NTD70N03R
NTD70N03R
$0 $/pedazo
IRFI3306GPBF
QS5U13TR
QS5U13TR
$0 $/pedazo
GP2T080A120U
GP2T080A120U
$0 $/pedazo
STP60N043DM9
IRF4104SPBF

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