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IPD50N03S2L06ATMA1

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IPD50N03S2L06ATMA1

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31

SOT-23

no conforme

IPD50N03S2L06ATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.53269 -
5,000 $0.50605 -
12,500 $0.48703 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 50A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 6.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 85µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1900 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3-11
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

PSMN012-25YLC,115
IXFK44N50P
IXFK44N50P
$0 $/pedazo
STFI26N60M2
NTP082N65S3F
NTP082N65S3F
$0 $/pedazo
RD3L140SPTL1
R8003KNXC7G
IPD031N03LGATMA1
IRF740STRRPBF
TN2106K1-G

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