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IPS135N03LGAKMA1

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MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3

compliant

IPS135N03LGAKMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
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Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 30A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 13.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.2V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1000 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 31W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO251-3-11
paquete / caja TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número de pieza relacionado

IRFR3412TRPBF
IRFH5250DTR2PBF
CPH6341-M-TL-EX
CPH6341-M-TL-EX
$0 $/pedazo
PMV130ENEA/DG/B2R
STF38N65M5
STF38N65M5
$0 $/pedazo
IRF7469
IRF7469
$0 $/pedazo
IRFR3607PBF
SI7790DP-T1-GE3

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