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IXFP22N65X2M

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IXYS

MOSFET N-CH 650V 22A TO220

SOT-23

no conforme

IXFP22N65X2M Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
50 $2.76760 $138.38
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 22A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 145mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 1.5mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2190 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220 Isolated Tab
paquete / caja TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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Número de pieza relacionado

VN0300L-G
PSMN3R5-25MLDX
DMN2041L-7
DMP21D0UFB4-7B
IRF7780MTRPBF
NTMFS5H409NLT1G
NTMFS5H409NLT1G
$0 $/pedazo
FQP6N80
STH240N10F7-2

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