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STH240N10F7-2

STH240N10F7-2

STH240N10F7-2

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

SOT-23

no conforme

STH240N10F7-2 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1,000 $2.90640 -
2,000 $2.77704 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 180A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 2.5mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 160 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 11550 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor H2Pak-2
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

NDP7050
IRF830STRLPBF
APT42F50S
2SK1432
2SK1432
$0 $/pedazo
DMP31D7LFB-7B
SIHB28N60EF-GE3
STL100N8F7
STL100N8F7
$0 $/pedazo
SI2312CDS-T1-BE3
XP235N2001TR-G
R6007KNJTL
R6007KNJTL
$0 $/pedazo

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