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SIHB28N60EF-GE3

SIHB28N60EF-GE3

SIHB28N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

SOT-23

no conforme

SIHB28N60EF-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $7.09000 $7.09
10 $6.35600 $63.56
100 $5.25170 $525.17
500 $4.29498 $2147.49
1,000 $3.65720 -
3,000 $3.48549 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 600 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 28A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 123mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2714 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor D2PAK
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

STL100N8F7
STL100N8F7
$0 $/pedazo
SI2312CDS-T1-BE3
XP235N2001TR-G
R6007KNJTL
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$0 $/pedazo
2SK3199
2SK3199
$0 $/pedazo
SI3424CDV-T1-BE3
SPA17N80C3XKSA1
ON5441518
ON5441518
$0 $/pedazo
SUM70101EL-GE3

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