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IXFP5N100P

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 5A TO220AB

no conforme

IXFP5N100P Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $3.78000 $3.78
50 $3.03760 $151.88
100 $2.76750 $276.75
500 $2.24100 $1120.5
1,000 $1.89000 -
60 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1000 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 5A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 2.8Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 6V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 33.4 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1830 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220-3
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

P3M12040K4
RM50N150DF
RM50N150DF
$0 $/pedazo
NTD20N06T4G
NTD20N06T4G
$0 $/pedazo
NTD70N03R-1
NTD70N03R-1
$0 $/pedazo
SQ4840EY-T1_GE3
SQM100N04-2M7_GE3
DMTH47M2LPSW-13
STW69N65M5-4
NVH4L018N075SC1
NVH4L018N075SC1
$0 $/pedazo

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