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IXTA08N100P

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263

no conforme

IXTA08N100P Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
50 $1.70000 $85
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1000 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 800mA (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 20Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 50µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 11.3 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 240 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-263AA
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

STB18N60M6
STB18N60M6
$0 $/pedazo
FQI27N25TU
STW19NM50N
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IXTQ36N30P
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$0 $/pedazo
APT1201R6SVFRG
DMP3026SFDE-13
LND01K1-G
FQD2N80TM
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$0 $/pedazo
NTD4959NHT4G
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DMN3028LQ-7

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